onsemi IGBT-Modul / 35 A ±20.0V max. 6-fach, 650 V DIP26 N-Kanal
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: NXH35C120L2C2ESG
Produkt-Nr.: P-CC8KTN
Technische Daten
- Anzahl an Transistoren
- 6
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 35 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20.0V
- Gehäusegröße
- DIP26
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 650 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20.0V
Anzahl an Transistoren = 6
Gehäusegröße = DIP26
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Das on Semiconductor Transferform-Leistungsmodul mit einem Substrat mit niedrigem Wärmewiderstand, das einen Wandler/Inverter-Bremskreis enthält, der aus sechs 35-Ampere- und 1600-Volt-Gleichrichtern, sechs 35-Ampere- und 1200-Volt-IGBTs mit inversen Dioden, einem 35-Ampere- und 1200-Volt-Brems-IGBT mit Bremsdiode und einem NTC-Thermistor besteht.Niedriger Wärmewiderstand 6 mm Abstand zwischen Stift und Kühlkörper Lötbare Stifte Thermistor Bleifrei Halogenfrei oder BFR-frei RoHS-konform
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
