onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie

Name: onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NXH450B100H4Q2F2PG

Produkt-Nr.: P-CC8T55

Technische Daten

Anzahl an Transistoren: 2
Dauer-Kollektorstrom max.: 101 A
Gate-Source Spannung max.: ±20V
Gehäusegröße: Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie Presspassstifte)
Kollektor-Emitter-Spannung: 1000 V
Verlustleistung max.: 79 W