onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BG (bleifreie und halidefreie
Technische Daten
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 101 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1000 V
- Verlustleistung max.
- 79 W
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 101 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1000 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 79 W
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT