Infineon IGBT-Modul / 100 A 20V max. 6-fach, 1200 V 20 mW Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

6

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

100 A

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Transistor-Konfiguration

Six Pack

Verlustleistung max.

20 mW