Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 600 A
- Gate-Source Spannung max.
- 20V
- Gehäusegröße
- 62 mm
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Pinanzahl
- 7
- Transistor-Konfiguration
- Single & Common Emitter
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 600 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = 20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = 62 mm
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 7
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
