Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

Technische Daten

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

600 A

Gate-Source Spannung max.

20V

Gehäusegröße

62 mm

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Pinanzahl

7

Transistor-Konfiguration

Single & Common Emitter

Verlustleistung max.

20 mW