Zum Hauptinhalt springen

Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

INFINEON Logo

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF600R12KE4EBOSA1

Produkt-Nr.: P-CCPN77

Technische Daten

Anzahl an Transistoren
2
Channel-Typ
N
Dauer-Kollektorstrom max.
600 A
Gate-Source Spannung max.
20V
Gehäusegröße
62 mm
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Konfiguration
Common Emitter
Pinanzahl
7
Transistor-Konfiguration
Single & Common Emitter
Verlustleistung max.
20 mW

Produktbeschreibung

Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.Höchste Leistungsdichte Flexibilität Optimale elektrische Leistung Höchste Zuverlässigkeit Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände

Produktangebot

132,82 €

158,06 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten

Nicht vorrätig
Zustand: Neu
Garantie: 12 Monate

Sichere Zahlung

VISA Logo
Mastercard Logo
American Express Logo
SEPA Überweisung Logo
Rechnung

Schneller Versand

DHL Express Logo
FedEx Logo
UPS Logo

etc.

Fragen zum Produkt?

Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT