Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal

Name: Infineon IGBT-Modul / 600 A 20V max. Dual, 1200 V 20 mW, 7-Pin 62 mm N-Kanal
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: FF600R12KE4EBOSA1

Produkt-Nr.: P-CCPN77

Technische Daten

Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 600 A
Gate-Source Spannung max.: 20V
Gehäusegröße: 62 mm
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200 V
Pinanzahl: 7
Transistor-Konfiguration: Single & Common Emitter
Verlustleistung max.: 20 mW

Produktbeschreibung

Das Infineon IGBT-Modul der Serie C mit Emitter-gesteuerter HE-Diode und schnellem Trenchstop IGBT4. Er hat eine Kollektor-Emitter-Spannung von 1200 V und einen Kollektorstrom von 600 A. Er wird hauptsächlich in der Motorsteuerung und Antrieben, Lösungen für Solarenergiesysteme, USV-Systemen und Hochleistungswandlern eingesetzt.Höchste Leistungsdichte Flexibilität Optimale elektrische Leistung Höchste Zuverlässigkeit Hohe Kriechstrecke und Sicherheitsabstände