Infineon IGBT / 35 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 35 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- Modul
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- Chassismontage
- Pinanzahl
- 23
- Transistor-Konfiguration
- 3-phasig
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 35 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 20 mW
Gehäusegröße = Modul
Montage-Typ = Chassismontage
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 23
Transistor-Konfiguration = 3-phasig
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
