Infineon IGBT / 35 A ±20V max. 7-fach, 1200 V 20 mW, 23-Pin Modul N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

7

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

35 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

Modul

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

3-phasig

Montage-Typ

Chassismontage

Pinanzahl

23

Transistor-Konfiguration

3-phasig