Infineon IGBT / 225 A ±20V max. Quad, 1200 V 20 mW AG-62MMHB N-Kanal

Technische Daten

Anzahl an Transistoren

4

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

225 A

Gate-Source Spannung max.

±20V

Gehäusegröße

AG-62MMHB

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Verlustleistung max.

20 mW