Infineon IGBT / 225 A ±20V max. Quad, 1200 V 20 mW AG-62MMHB N-Kanal
Technische Daten
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 225 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±20V
- Gehäusegröße
- AG-62MMHB
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Verlustleistung max.
- 20 mW
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 225 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Anzahl an Transistoren = 4
Gehäusegröße = AG-62MMHB
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
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