Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin

Name: Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin
Brand: INFINEON

Marke: INFINEON

Hersteller Artikel-Nr.: CY7C10612G30-10ZSXI

Produkt-Nr.: P-CZN8PY

Technische Daten

Abmessungen: 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Adressbusbreite: 16bit
Anzahl der Bits pro Wort: 16bit
Anzahl der Wörter: 1 M
Breite: 10.06mm
Gehäusegröße: TSOP II
Höhe: 0.95mm
Low Power: Ja
Montage-Typ: SMD
Organisation: 1 MB x 16 bit

Produktbeschreibung

Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1 M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP II
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm
Breite = 10.06mm