Infineon 16MBit LowPower SRAM-Speicherbaustein 1 M 100MHz, 16bit / Wort 16bit, 3 V bis 3,6 V, TSOP II 54-Pin

Speicher Größe = 16MBit
Organisation = 1 MB x 16 bit
Anzahl der Wörter = 1 M
Anzahl der Bits pro Wort = 16bit
Zugriffszeit max. = 10ns
Adressbusbreite = 16bit
Taktfrequenz = 100MHz
Low Power = Ja
Timing Typ = Asymmetrisch
Montage-Typ = SMD
Gehäusegröße = TSOP II
Pinanzahl = 54
Abmessungen = 22.313 x 10.058 x 0.95mm
Arbeitsspannnung max. = 3,6 Vmm
Breite = 10.06mm

Hohe Geschwindigkeit tAA = 10 ns Integrierter Fehlerkorrekturcode (ECC) für Einzelbit-Fehlerkorrektur Niedrige Wirkleistung ICC = 90 mA typisch Geringe CMOS-Standby-Leistung ISB2 = 20 mA (typisch) Betriebsspannungen von 3,3 ± 0,3 V 1,0 V Datenspeicherung Kompatible Ein- und Ausgänge zur Transistor-Transistor-Logik (TTL) ERR-Stift zur Anzeige der 1-Bit-Fehlererkennung und -korrektur Erhältlich in Pb-freiem 54-poligem TSOP II-Gehäuse