Wurth Elektronik WE-DCT SMD Induktivität, 3,3 μH 13.5mA mit WE-PERM-Kern, Typ SH Gehäuse 23.5mm / ±10%

Technische Daten

Gehäuse-Form

Typ SH

Gleichstrom max.

13.5mA

Induktivität

3,3 μH

Induktivitätsbauweise

Dual

Kernmaterial

WE-PERM

Länge

23.5mm

Serie

WE-DCT

Tiefe

11.5mm

Toleranz

±10%