Wolfspeed N-KanalDual, Schraub MOSFET 1200 V / 193 A 925 W, 7-Pin Halbbrücke
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 193 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 2.4V
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 30 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2.6V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1.8V
- Gate-Source Spannung max.
- –10 V, +25 V
Produktbeschreibung
Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte. MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null. Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen
Produktangebot
492,17 €
585,68 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045143307