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Wolfspeed N-KanalDual, Schraub MOSFET 1200 V / 193 A 925 W, 7-Pin Halbbrücke

Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: CAS120M12BM2

Produkt-Nr.: P-CDCBBN

Technische Daten

Betriebstemperatur max.
+150 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
193 A
Diodendurchschlagsspannung
2.4V
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
30 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
2.6V
Gate-Schwellenspannung min.
1.8V
Gate-Source Spannung max.
–10 V, +25 V

Produktbeschreibung

Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte. MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null. Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045143307