Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 60 A 330 W, 3-Pin TO-247

Name: Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 60 A 330 W, 3-Pin TO-247
Brand: Wolfspeed

Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: C2M0040120D

Produkt-Nr.: P-CDCCFG

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: –55 °CV
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 60 A
Drain-Source-Spannung max.: 1200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 52 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 4V
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -5 V, +20 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 60 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 52 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 330 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -5 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb