Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A 125 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 19 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 3.3V
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 196 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 2.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.4V
- Gate-Source Spannung max.
- -5 V, +20 V
Produktbeschreibung
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045148432