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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung -20 V / -136.7 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIR5207DP-T1-UE3

Produkt-Nr.: P-C7BGBR

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
-20V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0042Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
139nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
±12 V
Gehäusegröße
PowerPAK SO-8
Kabelkanaltyp
P-Kanal
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
-136.7A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET