Vishay SISS5812DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 42.8 A 44.6 W, 8-Pin PowerPAK

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

80V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.0135Ω

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±20 V

Gehäusegröße

PowerPAK

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

42.8A

Maximale Betriebstemperatur

150°C