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Vishay SIS5712DN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 18 A 39.1 W, 8-Pin PowerPAK

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIS5712DN-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-CZPYP2

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0555Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
5.8nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
±20 V
Gehäusegröße
PowerPAK
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
18A

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET