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Vishay SIRS5702DP Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 150 V / 119 A 245 W, 8-Pin PowerPAK

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIRS5702DP-T1-RE3

Produkt-Nr.: P-CZPYRC

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
150V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.0072Ω
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
44nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
±20 V
Gehäusegröße
PowerPAK
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
119A
Maximale Betriebstemperatur
150°C

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET