Vishay SIHH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 184 W, 4-Pin PowerPAK 8 x 8

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

650V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

0.085Ω

Durchlassspannung (Vf)

1.2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

63nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

±30 V

Gehäusegröße

PowerPAK 8 x 8

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

30A