Vishay P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 1,1 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

P

Dauer-Drainstrom max.

1,1 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Drain-Source-Widerstand max.

500 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

12 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

HVMDIP