Vishay N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 3,6 A 125 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFBF30PBF

Produkt-Nr.: P-CCVVXV

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 3,6 A
Drain-Source-Spannung max.: 900 V
Drain-Source-Widerstand max.: 3,7 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 78 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,6 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,7 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 78 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor