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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 1,7 A 54 W, 3-Pin TO-220AB

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFBF20PBF

Produkt-Nr.: P-CCVVXT

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
1,7 A
Drain-Source-Spannung max.
900 V
Drain-Source-Widerstand max.
8 Ω
Gate-Ladung typ. @ Vgs
38 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Gehäusegröße
TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 8 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 54 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040650718