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Vishay N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 2,5 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRLD024PBF

Produkt-Nr.: P-CCJMZY

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
2,5 A
Drain-Source-Spannung max.
60 V
Drain-Source-Widerstand max.
100 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
18 nC @ 5 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.
1V
Gate-Source Spannung max.
-10 V, +10 V
Gehäusegröße
HVMDIP

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 2,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059040908109