Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 6,6 A 60 W, 3-Pin TO-220FP
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 6,6 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 520 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 52 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-220FP
- Höhe
- 9.8mm
Produktbeschreibung
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040891449
