Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 11 A 170 W, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRFB11N50APBF

Produkt-Nr.: P-CCDMW8

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 11 A
Drain-Source-Spannung max.: 500 V
Drain-Source-Widerstand max.: 520 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Gehäusegröße: TO-220AB
Höhe: 9.01mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 520 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 170 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor