Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 9,8 A 40 W, 3-Pin TO-220FP

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,8 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Drain-Source-Widerstand max.

180 mΩ

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

TO-220FP

Höhe

9.8mm