Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 85 A 250000 mW, 3-Pin TO-220AB
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SUP85N10-10-GE3

Produkt-Nr.: P-CCNM74

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 85 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 10,5 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: TO-220AB

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 85 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 10,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 250000 mW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 105 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor