Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP

Name: Vishay N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 1,3 A 1,3 W, 4-Pin HVMDIP
Brand: Vishay
Price: 0.95 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRLD120PBF

Produkt-Nr.: P-CCDZWR

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 1,3 A
Drain-Source-Spannung max.: 100 V
Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 12 nC bei 5 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V
Gehäusegröße: HVMDIP
Höhe: 3.37mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 1,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = HVMDIP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 270 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,3 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 12 nC bei 5 Vmm
Höhe = 3.37mm

N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor