Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 9,2 A 170 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9,2 A

Drain-Source-Spannung max.

600 V

Drain-Source-Widerstand max.

750 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

49 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-30 V, +30 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)