Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 130 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

18 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Drain-Source-Widerstand max.

180 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

70 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)