Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: IRL640SPBF

Produkt-Nr.: P-CCMVTD

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 17 A
Drain-Source-Spannung max.: 200 V
Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 66 nC @ 5 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 66 nC @ 5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor