Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 4,3 A 2,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 4,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 540 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- DPAK (TO-252)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 4,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 540 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 2,5 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 100 V bis 150 V, Vishay Semiconductor
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040891081
