Vishay IRL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 17 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-55°C

Channel-Modus

Erweiterung

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

200V

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

180mΩ

Durchlassspannung (Vf)

2V

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

66nC

Gate-Source-spannung max (Vgs)

10 V

Gehäusegröße

TO-263

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

17A