Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 70 A 520 W, 3-Pin TO-247AC
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 70 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.2V
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 38 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = EF Series
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 38 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 520 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor. Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom Niedriger Gütefaktor (FOM) Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Produktangebot
11,73 €
13,96 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Sichere Zahlung
Schneller Versand
etc.
Fragen zum Produkt?
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040642478
