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Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Entleerung 650 V / 21 A 132 W, 8-Pin PowerPAK 10 x 12

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Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHK045N60E-T1-GE3

Produkt-Nr.: P-CZHC6K

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55°C
Channel-Modus
Entleerung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.
650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.
0.04Ω
Durchlassspannung (Vf)
1.2V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs
54nC
Gate-Source-spannung max (Vgs)
30 V
Gehäusegröße
PowerPAK 10 x 12
Kabelkanaltyp
Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)
21A

Produktbeschreibung

MOSFET

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET