Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Vishay E Series N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 29 A 250 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: Vishay

Marke: Vishay

Hersteller Artikel-Nr.: SIHB30N60E-GE3

Produkt-Nr.: P-CCCC3M

Technische Daten

Betriebstemperatur max.: +150 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 29 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ
Gate-Schwellenspannung min.: 2V
Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)
Höhe: 4.83mm

Produktbeschreibung

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor. Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS). Merkmale. Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Niedriger Widerstand (RDS(ein)) Ultraniedrige Gatterladung (Qg) Schnelle Schaltgeschwindigkeit Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste