Toshiba TK090Z65Z N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 30 A, 4-Pin TO-247-4
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 30 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,09 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
- Serie
- TK090Z65Z
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = TK090Z65Z
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 0,09 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,075? Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
