Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247

Name: Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 62 A 400 W, 3-Pin TO-247
Brand: Toshiba

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: TK62N60W,S1VF(S

Produkt-Nr.: P-CC3SBD

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip: 1mm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 62 A
Drain-Source-Spannung max.: 600 V
Drain-Source-Widerstand max.: 40 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 3.7V
Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V
Höhe: 20.95mm
Montage-Typ: THT

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20.95mm

MOSFET-N-Kanal, Serie TK6 und TK7, Toshiba