Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Technische Daten

Abmessungen

15.5 x 4.5 x 20mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Channel-Typ

N

Dauer-Kollektorstrom max.

50 A

Gate-Source Spannung max.

±25V

Gehäusegröße

TO-3P

Kollektor-Emitter-Spannung

600 V

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz