Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal

Name: Toshiba IGBT / 50 A ±25V max., 600 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Brand: Toshiba

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: GT50JR21

Produkt-Nr.: P-CC66G2

Technische Daten

Abmessungen: 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max.: +175 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 50 A
Gate-Source Spannung max.: ±25V
Gehäusegröße: TO-3P
Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Schaltgeschwindigkeit: 1MHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 230 W
Gehäusegröße = TO-3P
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

IGBTs, diskret, Toshiba