Toshiba IGBT / 40 A ±25V max., 1200 V 230 W, 3-Pin TO-3P N-Kanal
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.5 x 4.5 x 20mm
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 40 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±25V
- Gehäusegröße
- TO-3P
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Nennleistung
- 0.29mJ
- Pinanzahl
- 3
- Schaltgeschwindigkeit
- 2.5MHz
Produktbeschreibung
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 2.5MHz
Abmessungen = 15.5 x 4.5 x 20mm
Nennleistung = 0.29mJ
IGBTs, diskret, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059041634779