Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal

Name: Toshiba IGBT / 20 A ±25V max., 600 V 45 W, 3-Pin TO-220SIS N-Kanal
Brand: Toshiba

Marke: Toshiba

Hersteller Artikel-Nr.: GT20J341

Produkt-Nr.: P-CC3HTF

Technische Daten

Abmessungen: 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max.: +150 °C
Channel-Typ: N
Dauer-Kollektorstrom max.: 20 A
Gate-Source Spannung max.: ±25V
Gehäusegröße: TO-220SIS
Kollektor-Emitter-Spannung: 600 V
Montage-Typ: THT
Pinanzahl: 3
Schaltgeschwindigkeit: 100kHz

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±25V
Verlustleistung max. = 45 W
Gehäusegröße = TO-220SIS
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 100kHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10 x 4.5 x 15mm
Betriebstemperatur max. = +150 °C

IGBTs, diskret, Toshiba