Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip

1mm

Betriebstemperatur min.

-55 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

273 A

Drain-Source-Spannung max.

80 V

Drain-Source-Widerstand max.

2,8 mΩ

Gate-Schwellenspannung max.

3.2V

Gate-Schwellenspannung min.

2.1V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V