Texas Instruments NexFET N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 273 A 375 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 273 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 80 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,8 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.2V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.1V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 16.51mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 273 A
Drain-Source-Spannung max. = 80 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.2V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.1V
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 16.51mm
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042164473
