Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

Technische Daten

Betriebstemperatur max.

+175 °Cmm

Betriebstemperatur min.

–55 °CV

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

272 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Drain-Source-Widerstand max.

2,8 mΩ

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3