Texas Instruments NexFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 272 A 375 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +175 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 272 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,8 mΩ
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
- Höhe
- 4.83mm
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 272 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °Cmm
Höhe = 4.83mm
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042646412
