Texas Instruments Darlington-Transistor 7 8 V 100 mA NPN, SOIC 16-Pin
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 7
- Betriebstemperatur min.
- -40°C
- Gehäusegröße
- SOIC
- Höhe
- 1.5mm
- Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
- 8V
- Länge
- 10mm
- Maximale Betriebstemperatur
- 85°C
- Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
- 0.42V
- Maximale Verlustleistung (Pd)
- 580mW
- Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
- 100mA
Produktbeschreibung
Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 8V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 7
Maximale Verlustleistung Pd = 580mW
Maximale Betriebstemperatur = 85°C
Breite = 4 mmmm
Automobilstandard = Nein
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- Darlington Transistoren
- GTIN
- 5059042104684