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Texas Instruments Darlington-Transistor 7 8 V 100 mA NPN, SOIC 16-Pin

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Marke: Texas Instruments

Hersteller Artikel-Nr.: ULN2003LVDR

Produkt-Nr.: P-CCFN3P

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
7
Betriebstemperatur min.
-40°C
Gehäusegröße
SOIC
Höhe
1.5mm
Kollektor-Emitter Spannung max. (Vceo)
8V
Länge
10mm
Maximale Betriebstemperatur
85°C
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(SAT))
0.42V
Maximale Verlustleistung (Pd)
580mW
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom (Ic)
100mA

Produktbeschreibung

Produkt Typ = Darlington-Transistor
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic = 100mA
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo = 8V
Gehäusegröße = SOIC
Montageart = Oberfläche
Pinanzahl = 16
Anzahl der Elemente pro Chip = 7
Maximale Verlustleistung Pd = 580mW
Maximale Betriebstemperatur = 85°C
Breite = 4 mmmm
Automobilstandard = Nein

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Darlington Transistoren
GTIN
5059042104684