STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK

Name: STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 45 A 208 W, 7-Pin H2PAK
Brand: STMICROELECTRONICS
Price: 13.26 EUR
Availability: OutOfStock

Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: SCTH35N65G2V-7AG

Produkt-Nr.: P-CC3ZK3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55°C
Channel-Modus: Erweiterung
Drain-Source-Spannung (Vds) max.: 650V
Drain-Source-Widerstand (Rds) max.: 67mΩ
Durchlassspannung (Vf): 3.3V
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs: 14nC
Gate-Source-spannung max (Vgs): 22 V
Gehäusegröße: H2PAK
Kabelkanaltyp: Typ N
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id): 45A

Produktbeschreibung

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität Quellerkennungsstift für erhöhte Effizienz