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STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode , 650V / 20A, 2-Pin TO-220AC Ins

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STPSC20065DI

Produkt-Nr.: P-CC6TSS

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Dauer-Durchlassstrom max.
20A
Diode Typ
SiC-Schottky
Diodenkonfiguration
Einfach
Diodentechnologie
SiC-Schottky
Gehäusegröße
TO-220AC Ins
Gleichrichter-Typ
Schottky-Diode
Maximaler Spannungsabfall
1.65V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
2

Produktbeschreibung

Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC Ins
Dauer-Durchlassstrom max. = 20A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 650V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 1.65V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky
Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch = 400A

Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics. Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid-Diode) ist eine äußerst leistungsstarke Schottky-Diode. Keine oder eine vernachlässigbare Sperrverzögerung Schaltverhalten temperaturunabhängig Speziell für PFC-Anwendungen Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Schottky-Dioden und Gleichrichter
GTIN
5059042094039