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STMicroelectronics THT SiC-Schottky Diode , 1200V / 10A, 2-Pin TO-220AC

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STPSC10H12D

Produkt-Nr.: P-CC6N6P

Technische Daten

Anzahl der Elemente pro Chip
1
Dauer-Durchlassstrom max.
10A
Diode Typ
SiC-Schottky
Diodenkonfiguration
Einfach
Diodentechnologie
SiC-Schottky
Gehäusegröße
TO-220AC
Gleichrichter-Typ
Schottky-Diode
Maximaler Spannungsabfall
2.25V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
2

Produktbeschreibung

Montage-Typ = THT
Gehäusegröße = TO-220AC
Dauer-Durchlassstrom max. = 10A
Spitzen-Sperrspannung periodisch = 1200V
Diodenkonfiguration = Einfach
Gleichrichter-Typ = Schottky-Diode
Diode Typ = SiC-Schottky
Pinanzahl = 2
Maximaler Spannungsabfall = 2.25V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Diodentechnologie = SiC-Schottky

Schottky-Diode basierend auf Siliziumkarbid (SIC), STMicroelectronics. Eine SiC-Diode (Siliziumkarbid-Diode) ist eine äußerst leistungsstarke Schottky-Diode. Keine oder eine vernachlässigbare Sperrverzögerung Schaltverhalten temperaturunabhängig Speziell für PFC-Anwendungen Hohe Durchlass-Stoßspannungsfestigkeit

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
Schottky-Dioden und Gleichrichter
GTIN
5059042564327