STMicroelectronics STripFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 75 A 190 W, 3-Pin TO-247

Technische Daten

Betriebstemperatur min.

-50 °Cmm

Channel-Modus

Enhancement

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

75 A

Drain-Source-Spannung max.

200 V

Drain-Source-Widerstand max.

34 mΩ

Gate-Ladung typ. @ Vgs

84 nC @ 10 Vmm

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Gate-Schwellenspannung min.

2V

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V